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大连理工大学制备出高可靠、低功耗、高灵敏度_大连有什么好玩的地方

大连理工大学制备出高可靠、低功耗、高灵敏度_大连有什么好玩的地方

 

大连理工大学黄辉教授团队研发了无漏电流“纳米线桥接生长技术”,解决了纳米线器件的排列组装、电极接触及材料稳定性问题,制备出高可靠性(8个月电阻变化率<0.8%)、低功耗(可室温工作)及高灵敏度(NO2检测限0.5ppb)的GaN纳米线气体传感器,该传感器可推广至生物检测以及应力应变检测等,实验结果发表在国际纳米领域顶级期刊“Nano Letters” 。

 

目前,半导体集成电路芯片(IC)发展迅猛,推动着物联网和人工智能产业的兴起。如果把IC比作人的大脑,传感器则相当于的人的感知器官,二者相互依存。但是,传感器(特别是可集成微纳传感器)的发展程度,远远滞后于IC的发展水平。因此,微纳传感器(或传感芯片)将是继IC产业之后的另一重大产业。

 

黄辉团队,首次研究了纳米线桥接生长中的寄生沉积效应,发明了一种结合气流遮挡效应与表面钝化效应的桥接生长方法,解决了寄生沉积问题;并首次实现了“无漏电流”的GaN桥接纳米线,在此基础上研制出高稳定性、低功耗以及高灵敏度的集成纳米线气体传感器。特别是,GaN材料是第三代半导体,具有优异的稳定性(耐高温、抗氧化、耐酸碱腐蚀)和生物兼容性,适用于严酷环境下的应力应变以及液体和气体样品的检测(实验证明氢氟酸腐蚀48小时未对GaN纳米线产生影响),应用领域非常广泛。该技术将推动传感芯片的发展。

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